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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBF20LPBF-ND
Cantidad disponible 1,995
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBF20LPBF

Descripción MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Descripción ampliada N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 490 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 54 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFBF20LPBF

11:04:57 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.36000 2.36
10 2.11700 21.17
25 1.99760 49.94
100 1.70190 170.19
250 1.59800 399.50
500 1.39826 699.13
1,000 1.15855 1,158.55
2,500 1.07865 2,696.63
5,000 1.03870 5,193.50

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