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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBC40ASPBF-ND
Cantidad disponible 996
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBC40ASPBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 6.2A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFBC40AS, SiHFBC40AS
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1036 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 3.7 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFBC40ASPBF

02:49:36 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.24000 4.24
10 3.80600 38.06
25 3.59760 89.94
100 3.11810 311.81
250 2.95816 739.54
500 2.65434 1,327.17
1,000 2.23860 2,238.60
2,500 2.12667 5,316.68

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