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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB9N65APBF-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB9N65APBF

Descripción MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB9N65A
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1417 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 930 mOhm a 5.1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB9N65APBF

05:43:00 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.71000 2.71
10 2.43500 24.35
25 2.30160 57.54
100 1.99490 199.49
250 1.89256 473.14
500 1.69818 849.09
1,000 1.43220 1,432.20
2,500 1.36059 3,401.48
5,000 1.30944 6,547.20

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