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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB13N50APBF-ND
Cantidad disponible 241
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFB13N50APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 500V 14A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRFB13N50A
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1910 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 450 mOhm a 8.4 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB13N50APBF

11:39:51 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.50000 3.50
10 3.14100 31.41
25 2.96960 74.24
100 2.57370 257.37
250 2.44172 610.43
500 2.19096 1,095.48
1,000 1.84779 1,847.79
2,500 1.75540 4,388.50

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