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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9610PBF-ND
Cantidad disponible 1,486
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF9610PBF

Descripción MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
Descripción ampliada P-Channel 200V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF9610
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 170 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 20 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 900 mA, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF9610PBF

15:52:24 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.42000 1.42
10 1.27300 12.73
25 1.20840 30.21
100 0.99260 99.26
250 0.92784 231.96
500 0.81994 409.97
1,000 0.64733 647.33
2,500 0.60417 1,510.43
5,000 0.57396 2,869.81

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