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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9530PBF-ND
Cantidad disponible 1,356
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF9530PBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
Descripción ampliada P-Channel 100V 12A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF9530PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 860 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 88 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 7.2 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF9530PBF

09:45:15 1/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.38000 1.38
10 1.23600 12.36
25 1.17320 29.33
100 0.96370 96.37
250 0.90084 225.21
500 0.79610 398.05
1,000 0.62850 628.50
2,500 0.58660 1,466.50
5,000 0.55727 2,786.35

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