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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9520SPBF-ND
Cantidad disponible 217
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF9520SPBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Descripción ampliada P-Channel 100V 6.8A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF9520S, SiHF9520S
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 390 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 4.1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF9520SPBF

00:00:43 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.39000 1.39
10 1.24500 12.45
25 1.18200 29.55
100 0.97080 97.08
250 0.90752 226.88
500 0.80200 401.00
1,000 0.63315 633.15
2,500 0.59094 1,477.35
5,000 0.56139 2,806.97

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