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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF830PBF-ND
Cantidad disponible 6,991
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF830PBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 500V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF830PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 610 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 74 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 Ohm a 2.7 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF830PBF

07:18:36 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.12000 1.12
10 1.00000 10.00
25 0.94960 23.74
100 0.78000 78.00
250 0.72916 182.29
500 0.64438 322.19
1,000 0.50873 508.73
2,500 0.47481 1,187.03
5,000 0.45107 2,255.35

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