Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF830APBF-ND
Cantidad disponible 2,545
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF830APBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 500V 5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF830A,SiHF830A
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 74 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF830APBF

15:24:20 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.18000 1.18
10 1.05900 10.59
25 1.00520 25.13
100 0.82570 82.57
250 0.77184 192.96
500 0.68210 341.05
1,000 0.53850 538.50
2,500 0.50260 1,256.50
5,000 0.47747 2,387.35

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario