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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF830ALPBF-ND
Cantidad disponible 1,453
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF830ALPBF

Descripción MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
Descripción ampliada N-Channel 500V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 74 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF830ALPBF

02:04:16 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.15000 2.15
10 1.93500 19.35
25 1.82520 45.63
100 1.55490 155.49
250 1.46000 365.00
500 1.27750 638.75
1,000 1.05850 1,058.50
2,500 0.98550 2,463.75
5,000 0.94900 4,745.00

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