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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF640SPBF-ND
Cantidad disponible 1,349
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF640SPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50

00:21:35 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.55000 1.55
10 1.39700 13.97
25 1.31760 32.94
100 1.12250 112.25
250 1.05400 263.50
500 0.92226 461.13
1,000 0.76415 764.15
2,500 0.71145 1,778.63
5,000 0.68510 3,425.50

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