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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF624SPBF-ND
Cantidad disponible 3,400
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF624SPBF

Descripción MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 250V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF624SPBF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 260 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 50 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.1 Ohm a 2.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF624SPBF

09:17:58 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.11000 2.11
10 1.89200 18.92
25 1.78520 44.63
100 1.52080 152.08
250 1.42800 357.00
500 1.24950 624.75
1,000 1.03530 1,035.30
2,500 0.96390 2,409.75
5,000 0.92820 4,641.00

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