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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF620SPBF-ND
Cantidad disponible 2,727
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF620SPBF

Descripción MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Descripción ampliada N-Channel 200V 5.2A (Tc) 3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF620S, SiHF620S
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 260 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 50 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800 mOhm a 3.1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF620SPBF

01:24:01 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.77000 1.77
10 1.58700 15.87
25 1.49760 37.44
100 1.27590 127.59
250 1.19800 299.50
500 1.04826 524.13
1,000 0.86855 868.55
2,500 0.80865 2,021.63
5,000 0.77870 3,893.50

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