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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF530PBF-ND
Cantidad disponible 4,831
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF530PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 11 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IRF530PBF
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar desde Accelerated Designs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Vishay Siliconix

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 8.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 26 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 670 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF530PBF

02:27:13 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.95000 0.95
10 0.84700 8.47
25 0.80360 20.09
100 0.66010 66.01
250 0.61704 154.26
500 0.54530 272.65
1,000 0.43050 430.50
2,500 0.40180 1,004.50
5,000 0.38171 1,908.55

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