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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK9J90ES1E-ND
Cantidad disponible 684
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK9J90E,S1E

Descripción MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK9J90E
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.3 Ohm a 4.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 46 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2000 pF a 25 V
Potencia máxima 250 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E

20:35:43 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.18000 3.18
10 2.83800 28.38
25 2.55360 63.84
100 2.32680 232.68
250 2.09976 524.94
500 1.88410 942.05
1,000 1.58900 1,589.00

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