Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK6A65D(STA4QM)-ND
Cantidad disponible 2,384
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK6A65D(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 650V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK6A65D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie π-MOSVII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.11 Ohm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM

01:15:26 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.04000 2.04
10 1.84300 18.43
25 1.64600 41.15
100 1.48130 148.13
250 1.31672 329.18
500 1.15212 576.06
1,000 0.95461 954.61
2,500 0.88877 2,221.93
5,000 0.85586 4,279.28

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario