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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK6A65D(STA4QM)-ND
Cantidad disponible 2,389
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK6A65D(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK6A65D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.11 Ohm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1050 pF a 25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM

17:04:33 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.94000 1.94
10 1.75600 17.56
25 1.56760 39.19
100 1.41080 141.08
250 1.25400 313.50
500 1.09726 548.63
1,000 0.90915 909.15
2,500 0.84645 2,116.13

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