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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK6A60DSTA4QM-ND
Cantidad disponible 2,288
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK6A60D(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK6A60D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.25 Ohm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 16 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 800 pF a 25 V
Potencia máxima 40 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres TK6A60DSTA4QM

04:05:59 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.66000 1.66
10 1.47300 14.73
25 1.33000 33.25
100 1.16380 116.38
250 1.02124 255.31
500 0.90250 451.25
1,000 0.71250 712.50
2,500 0.66500 1,662.50

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