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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK65E10N1S1X-ND
Cantidad disponible 1,046
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK65E10N1,S1X

Descripción MOSFET N CH 100V 148A TO220
Descripción ampliada N-Channel 100V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK65E10N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 148 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 81 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5400pF a 50V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 192 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 mOhm a 32.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK65E10N1,S1X(S
TK65E10N1S1X

17:24:04 3/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.79000 2.79
10 2.52300 25.23
25 2.25240 56.31
100 2.02700 202.70
250 1.80180 450.45
500 1.57658 788.29
1,000 1.30631 1,306.31
2,500 1.21622 3,040.54

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