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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK62N60XS1F-ND
Cantidad disponible 339
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK62N60X,S1F

Descripción MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK62N60X
Producto destacado DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 3.1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 400 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40 mOhm a 21 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

09:31:45 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 10.24000 10.24
10 9.21400 92.14
25 8.39480 209.87
100 7.57580 757.58
250 6.96152 1,740.38

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