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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK62J60WS1VQ-ND
Cantidad disponible 147
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK62J60W,S1VQ

Descripción MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Descripción ampliada N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK62J60W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 3.1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 400 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38 mOhm a 30.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ

03:23:28 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.85000 14.85
10 13.50000 135.00
25 12.48760 312.19
100 11.47500 1,147.50

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