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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK62J60WS1VQ-ND
Cantidad disponible 150
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK62J60W,S1VQ

Descripción MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK62J60W
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Súper empalme
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61.8 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38 mOhm a 30.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 3.1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 180 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6500 pF a 300 V
Potencia máxima 400 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ

14:27:57 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.85000 14.85
10 13.50000 135.00
25 12.48760 312.19
100 11.47500 1,147.50

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