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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK39N60W5S1VF-ND
Cantidad disponible 1,208
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK39N60W5,S1VF

Descripción MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
Descripción ampliada N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK39N60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 270 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 74 mOhm a 19.4 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF

23:56:52 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.36000 6.36
10 5.72000 57.20
25 5.21120 130.28
100 4.70270 470.27
250 4.32140 1,080.35
500 3.94010 1,970.05

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