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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK39J60W5S1VQ-ND
Cantidad disponible 318
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK39J60W5,S1VQ

Descripción MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Descripción ampliada N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK39J60W5
Producto destacado DTMOSIV Superjunction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 270 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 19.4 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ

00:34:22 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 11.60000 11.60
10 10.44200 104.42
25 9.51400 237.85
100 8.58590 858.59
250 7.88972 1,972.43
500 7.19356 3,596.78

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