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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK35A65W5S5X-ND
Cantidad disponible 200
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK35A65W5,S5X

Descripción MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Descripción ampliada N-Channel 650V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK35A65W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 2.1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 115 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 95 mOhm a 17.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X

17:18:17 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.30000 6.30
10 5.67000 56.70
25 5.16600 129.15
100 4.66200 466.20
250 4.28400 1,071.00
500 3.90600 1,953.00

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