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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK28A65WS5X-ND
Cantidad disponible 230
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK28A65W,S5X

Descripción MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 650V 27.6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK28A65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.6 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 13.8 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK28A65W,S5X(M
TK28A65WS5X

16:27:30 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.04000 5.04
10 4.50000 45.00
25 4.05000 101.25
100 3.69000 369.00
250 3.33000 832.50
500 2.98800 1,494.00

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