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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK25N60XS1F-ND
Cantidad disponible 178
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK25N60X,S1F

Descripción MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK25N60X
Producto destacado DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2400 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 180 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 7.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK25N60X,S1F(S
TK25N60XS1F

22:01:24 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.48000 4.48
10 4.00100 40.01
25 3.60040 90.01
120 3.28042 393.65
270 2.96037 799.30
510 2.65633 1,354.73
1,020 2.24028 2,285.09

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