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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK25N60XS1F-ND
Cantidad disponible 180
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK25N60X,S1F

Descripción MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK25N60X
Producto destacado DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 7.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2400 pF a 300 V
Potencia máxima 180 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK25N60X,S1F(S
TK25N60XS1F

05:46:12 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.27000 4.27
10 3.81000 38.10
25 3.42920 85.73
100 3.12420 312.42
250 2.81940 704.85
500 2.52984 1,264.92
1,000 2.13360 2,133.60

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