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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK20N60W5S1VF-ND
Cantidad disponible 116
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK20N60W5,S1VF

Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK20N60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF

16:01:16 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.77000 3.77
10 3.36500 33.65
25 3.02880 75.72
120 2.75950 331.14
270 2.49030 672.38
510 2.23453 1,139.61
1,020 1.88454 1,922.23
2,520 1.79031 4,511.59

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