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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK20A60WS5VX-ND
Cantidad disponible 531
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK20A60W,S5VX

Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Descripción ampliada N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK20A60W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1680pF a 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres ASTK20A60W,S5VX(M
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX

14:18:32 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.16000 5.16
10 4.60700 46.07
25 4.14600 103.65
100 3.77760 377.76
250 3.40908 852.27
500 3.05896 1,529.48
1,000 2.57985 2,579.85

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