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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK20A60UQM-ND
Cantidad disponible 454
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK20A60U(Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 600V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK20A60U
Mosfets Prod Guide
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Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1470 pF a 10 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK20A60U(Q)
TK20A60UQ
TK20A60UQ-ND
TK20A60UQM

01:17:16 2/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.78000 5.78
10 5.16300 51.63
25 4.64640 116.16
100 4.23330 423.33
250 3.82024 955.06
500 3.42790 1,713.95

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