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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK17N65WS1F-ND
Cantidad disponible 150
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK17N65W,S1F

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK17N65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.3 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 8.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1800 pF a 300 V
Potencia máxima 165 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK17N65W,S1F(S
TK17N65WS1F

17:13:04 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.53000 3.53
10 3.15000 31.50
25 2.83520 70.88
100 2.58300 258.30
250 2.33100 582.75
500 2.09160 1,045.80
1,000 1.76400 1,764.00

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