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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK17E65WS1X-ND
Cantidad disponible 227
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK17E65W,S1X

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK17E65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.3 A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 8.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1800 pF a 300 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X

03:13:49 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.86000 2.86
10 2.55000 25.50
25 2.29520 57.38
100 2.09100 209.10
250 1.88700 471.75
500 1.69320 846.60
1,000 1.42800 1,428.00

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