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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK17E65WS1X-ND
Cantidad disponible 226
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK17E65W,S1X

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 650V 17.3A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK17E65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 900 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800 pF a 300 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 200 mOhm a 8.7 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK17E65W,S1X(S
TK17E65WS1X

23:05:25 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.00000 3.00
10 2.67800 26.78
25 2.40960 60.24
100 2.19560 219.56
250 1.98136 495.34
500 1.77786 888.93
1,000 1.49940 1,499.40
2,500 1.42443 3,561.08

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