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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK16N60WS1VF-ND
Cantidad disponible 16
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK16N60W,S1VF

Descripción MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Descripción ampliada N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK16N60W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 790 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF a 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF

18:39:18 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.97000 4.97
10 4.43600 44.36
25 3.99280 99.82
120 3.63775 436.53
270 3.28281 886.36
510 2.94567 1,502.29
1,020 2.48430 2,533.99

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