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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK16E60W5S1VX-ND
Cantidad disponible 170
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK16E60W5,S1VX

Descripción MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK16E60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 790 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF a 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230 mOhm a 7.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX

06:34:16 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.92000 2.92
10 2.61000 26.10
25 2.34920 58.73
100 2.14020 214.02
250 1.93140 482.85
500 1.73304 866.52
1,000 1.46160 1,461.60

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