Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK16E60W5S1VX-ND
Cantidad disponible 160
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK16E60W5,S1VX

Descripción MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Descripción ampliada N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK16E60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 790 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF a 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230 mOhm a 7.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX

04:25:19 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.07000 3.07
10 2.74100 27.41
25 2.46640 61.66
100 2.24720 224.72
250 2.02796 506.99
500 1.81970 909.85
1,000 1.53468 1,534.68
2,500 1.45795 3,644.87

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario