Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK16A60WS4VX-ND
Cantidad disponible 236
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK16A60W,S4VX

Descripción MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 600V 15.8A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK16A60W
Producto destacado DTMOSIV Superjunction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 790 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF a 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK16A60W,S4VX(M
TK16A60WS4VX

22:30:41 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.08000 3.08
10 2.75000 27.50
25 2.47520 61.88
100 2.25500 225.50
250 2.03500 508.75
500 1.82600 913.00
1,000 1.54000 1,540.00

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario