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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK15A60U(STA4QM)-ND
Cantidad disponible 126
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK15A60U(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 600V 15A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK15A60U
Mosfets Prod Guide
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Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 950 pF a 10 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 7.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM

14:09:06 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.61000 3.61
10 3.22600 32.26
25 2.90360 72.59
100 2.64540 264.54
250 2.38732 596.83
500 2.14214 1,071.07
1,000 1.80663 1,806.63
2,500 1.71630 4,290.75

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