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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK14N65W5S1F-ND
Cantidad disponible 150
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK14N65W5,S1F

Descripción MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK14N65W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 690 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 6.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F

03:00:25 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.24000 3.24
10 2.89300 28.93
25 2.60360 65.09
120 2.37208 284.65
270 2.14063 577.97
510 1.92078 979.60
1,020 1.61994 1,652.34
2,520 1.53894 3,878.14

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