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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK14N65WS1F-ND
Cantidad disponible 343
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK14N65W,S1F

Descripción MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK14N65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V @ 690µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 300V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F

15:55:12 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.25000 3.25
10 2.90100 29.01
25 2.61040 65.26
100 2.37850 237.85
250 2.14648 536.62
500 1.92602 963.01
1,000 1.62435 1,624.35
2,500 1.54313 3,857.83

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