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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK13A60DSTA4QM-ND
Cantidad disponible 3,831
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK13A60D(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Descripción ampliada N-Channel 600V 13A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK13A60D
Mosfets Prod Guide
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie π-MOSVII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 430 mOhm a 6.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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  • Precio unitario 3.70000
  • STR-W6053S-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres TK13A60DSTA4QM

08:56:45 2/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.96000 2.96
10 2.64500 26.45
25 2.38040 59.51
100 2.16890 216.89
250 1.95732 489.33
500 1.75628 878.14
1,000 1.48120 1,481.20

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