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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK100E10N1S1X-ND
Cantidad disponible 1,912
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK100E10N1,S1X

Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK100E10N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 140 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8800pF a 50V
Potencia máxima 255 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1S1X

01:16:49 12/8/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.64000 3.64
10 3.25000 32.50
25 2.92520 73.13
100 2.66500 266.50
250 2.40500 601.25
500 2.15800 1,079.00
1,000 1.82000 1,820.00

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