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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK100E08N1S1X-ND
Cantidad disponible 248
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK100E08N1,S1X

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Descripción ampliada N-Channel 80V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TK100E08N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9000pF a 40V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 255 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2 mOhm a 50 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X

14:09:04 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.88000 5.88
10 5.25000 52.50
25 4.72520 118.13
100 4.30500 430.50
250 3.88500 971.25
500 3.48600 1,743.00
1,000 2.94000 2,940.00

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