Agregar a favoritos
  • Éste componente se convertirá en un artículo sin inventario cuando el inventario está agotado; se aplicarán las cantidades mínimas. Pida la cantidad disponible, o la cantidad disponible más un múltiplo de la cantidad mínima a pedir.
  • Componente que nunca tenemos disponible; pedido especial con cantidad minima ?
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58BYG2S0HBAI6-ND
Cantidad disponible 424
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TC58BYG2S0HBAI6

Descripción IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TC58BYG2S0HBAI6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Formato - Memoria EEPROM - serial
Tipo de memoria EEPROM - NAND
Capacidad de memoria 4 G (512 M x 8)
Velocidad 25 ns
Interfaz Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete / Caja (carcasa) 67-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 338
Otros nombres TC58BYG2S0HBAI6JDH
TC58BYG2S0HBAI6YCL

15:55:44 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.27000 4.27

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario