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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58BYG1S3HBAI6-ND
Cantidad disponible 382
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TC58BYG1S3HBAI6

Descripción IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos TC58BYG1S3HBAI6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Circuitos integrados

Familia

Memoria

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Formato - Memoria EEPROM - serial
Tipo de memoria EEPROM - NAND
Capacidad de memoria 2 G (256 M x 8)
Velocidad 25 ns
Interfaz Paralelo
Voltaje de la fuente 1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de operación -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete / Caja (carcasa) 67-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 67-VFBGA (6.5x8)
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 338
Otros nombres TC58BYG1S3HBAI6JDH
TC58BYG1S3HBAI6YCL

09:53:23 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.74000 2.74
10 2.46400 24.64
25 2.42440 60.61
50 2.41800 120.90
100 2.16060 216.06
250 2.09040 522.60
500 2.08260 1,041.30
1,000 1.93960 1,939.60

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