• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
  • Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN2101ACT(TPL3)CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

RN2101ACT(TPL3)

Descripción TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Descripción ampliada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos RN2101ACT-06ACT
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo de transistor PNP - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 80 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50 V
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 4.7 k
Resistencia - Emisor a base (R2) (Ohms) 4.7 k
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 30 a 10 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 150 mV a 500 µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 100 mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
Paquete del dispositivo del proveedor CST3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RN2101ACT(TPL3)CT

18:54:58 3/27/2017

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