• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
  • Estado de la pieza: Fin de serie; Último día para la compra: 12-31-2016. Se pueden aplicar cantidades mínimas.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN1108ACT(TPL3)DKR-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

RN1108ACT(TPL3)

Descripción Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos RN1107ACT-09ACT
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 80 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50 V
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 22 k
Resistencia - Emisor a base (R2) (Ohms) 47 k
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 10 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 150 mV a 250 µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 100 mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
Paquete del dispositivo del proveedor CST3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RN1108ACT(TPL3)DKR

00:32:27 12/10/2016

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RN1108ACT(TPL3)TR-ND
  • Cantidad mínima: 10,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.04960
  • Cinta cortada (CT) ? : RN1108ACT(TPL3)CT-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 9,940 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.40000
Enviar comentario