• No se dispone de envases con valor agregado; existen otras alternativas de envase.
  • Estado de la pieza: Fin de serie; Último día para la compra: 12-31-2016. Se pueden aplicar cantidades mínimas.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key RN1106MFV(TL3T)DKR-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

RN1106MFV(TL3,T)

Descripción Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos General-Purpose Small-Signal Surface-Mount Devices
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie -
Empaquetado ? Digi-Reel® ?
Estado de la pieza Última compra
Tipo de transistor NPN - Prepolarizado
Corriente de colector (Ic) máx. 100 mA
Voltaje de interrupción - Colector-emisor (máx.) 50 V
Resistencia - Base (R1) (Ohms) 4.7 k
Resistencia - Emisor a base (R2) (Ohms) 47 k
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce 80 a 10 mA, 5 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic 300 mV a 500 µA, 5 mA
Corriente de corte del colector (máx.) 500 nA
Frecuencia - Transición -
Potencia máxima 150 mW
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres RN1106MFV(TL3T)DKR

06:40:19 12/3/2016

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : RN1106MFV(TL3T)TR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 8,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.03220
  • Cinta cortada (CT) ? : RN1106MFV(TL3T)CT-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 1,882 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.22000
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