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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2SK3564(STA4QM)-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2SK3564(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Descripción ampliada N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos Mosfets Prod Guide
2SK3564
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Categorías
Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie π-MOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 700 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.3 Ohm a 1.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM

14:44:40 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 1.90
10 1.72000 17.20
25 1.53560 38.39
100 1.38210 138.21
250 1.22852 307.13
500 1.07494 537.47
1,000 0.89066 890.66
2,500 0.82924 2,073.09
5,000 0.79853 3,992.63

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