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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37289-5-ND
Cantidad disponible 390
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 10,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

CSD19536KCS

Descripción MOSFET N-CH 100V TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos CSD19536KCS
Producto destacado CSD19536KCS Power MOSFET
Ensamble/origen de PCN TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015
Página del producto del fabricante CSD19536KCS Specifications
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Texas Instruments

Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.7 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 153 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 12000 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37289-5

06:04:23 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.47000 4.47
10 4.01500 40.15
100 3.28970 328.97
500 2.80042 1,400.21
1,000 2.10875 2,108.75

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