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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 296-37480-5-ND
Cantidad disponible 1,387
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 10,000
Fabricante

Número de pieza del fabricante

CSD19531KCS

Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 100V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Contiene plomo / Solicitar verificación de inventario
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos CSD19531KCS
Ensamble/origen de PCN Site Chg 04/Dec/2015
Site Chg 25/Jan/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Texas Instruments

Serie NexFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3870 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.7 mOhm a 60 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres 296-37480-5
CSD19531KCS-ND

02:34:06 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 1.90
10 1.70900 17.09
100 1.37390 137.39
500 1.12876 564.38
1,000 0.93525 935.25

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