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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-16127-5-ND
Cantidad disponible 360
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STW65N65DM2AG

Descripción MOSFET N-CH 650V 60A
Descripción ampliada N-Channel 650V 60A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 24 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STW65N65DM2AG
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 60 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5500 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 446 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 30 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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  • Precio unitario 11.66000
  • IXFH80N65X2-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-16127-5

00:00:51 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 10.17000 10.17
10 9.18800 91.88
100 7.60680 760.68
500 6.62392 3,311.96

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