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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-15373-5-ND
Cantidad disponible 587
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STW56N65M2-4

Descripción MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 9 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos STW56N65M2-4
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ M2
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 49 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 62 mOhm a 24.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3900 pF a 100 V
Potencia máxima 358 W
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres 497-15373-5

21:35:01 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.77000 7.77
10 7.02000 70.20
100 5.81170 581.17
500 5.06076 2,530.38
1,000 4.40775 4,407.75

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