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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 497-13979-5-ND
Cantidad disponible 1,790
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

STU7N60M2

Descripción MOSFET N-CH 600V IPAK
Descripción ampliada N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-Pak
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos STx7N60M2
Producto destacado MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

STMicroelectronics

Serie MDmesh™ II Plus
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.8 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 271 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±25 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 60 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 950 mOhm a 2.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres 497-13979-5
STU7N60M2-ND

07:02:15 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 1.40
10 1.25400 12.54
100 0.97810 97.81
500 0.80798 403.99
1,000 0.63788 637.88

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